岗位职责：
1、负责HBT结构与pHEMT结构外延工艺的开发及性能优化；
2、制定实验计划，验证新型外延工艺与结构的可行性；
3、调整并优化生长参数，提升外延层的均匀性与工艺重复性；
4、识别并解决影响外延环节良率的技术问题；
5、开展缺陷检测与分析，定位根本原因并提出改善对策；
6、持续推进工艺改进，确保产品良率、一致性及射频性能达标；
7、为工艺整合团队提供外延技术领域的专业支持与指导；
8、参与整合流程讨论，输出外延相关的技术建议；
9、协同处理跨模块中涉及外延工艺的技术难题；
10、编制和更新外延工艺相关文件，涵盖工艺流程及品质管控规范；
11、与设备团队紧密协作，明确工艺需求并提供反馈信息；
12、配合设备工程师完成工艺相关设备的调试与优化工作；
13、参与新进设备的技术评估及工艺匹配性验证；

任职资格：
1、本科及以上学历，材料科学、机械工程或相关专业优先；
2、具备3-5年半导体制造后道工艺工作经验，其中至少2年专注于砷化镓射频器件工艺；
3、掌握半导体后段工艺基本原理与技术要点，熟悉研磨、减薄、键合等工序及相关设备；
4、理解砷化镓射频器件的工作机制与性能指标，掌握常用材料分析与表征方法；
5、具备基础的统计分析能力及实验设计知识。